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書籍 | 光学全般

SPIEフィールドガイド オプティカルリソグラフィー
商品コード: 9784902312331

SPIEフィールドガイド オプティカルリソグラフィー

販売価格(税込) 3,996 円
ポイント: 39 Pt
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Chris A. Mack 著
木下博雄 訳
A5変形 144頁 リング製本
2008/9/1
原著:Field Guide to Optical Lithography
オプトロニクス社

刊行趣旨

本シリーズでは、先人の英知に学び、その重要な原理や技術を採り上げて、ラボでも現場でもすぐに参照できる分かりやすい実用書として作成されている。光学の基礎原理などの基本的事項から技術、および実用面、さらに参考文献に至るまで、項目別に参照しやすい配列でまとめられている。また共通の統一されたレイアウトと記号を使用し、読者への平易な解説に努めている。

読者対象

現場の技術者・研究者向け

著者紹介

SPIEフィールドガイドは現場の技術者や研究者向けに書かれた光関連シリーズ

目次

原著 Field Guide to Optical Lithography


サンプルページを見る
※PDFファイル 約 863 KB


リソグラフィー工程(The Lithography Process)

 定義:半導体リソグラフィー(Definition: Semiconductor Lithography)
 リソグラフィー工程の概要(Overview of the Lithography Process)
 工程:基板の準備(Processing: Substrate Preparation)
 工程:フォトレジストスピンコート(Processing: Photoresist Spin Coating)
 工程:塗布後ベーク(Processing: Post-Apply Bake)
 工程:アライメントと露光(Processing: Alignment and Exposure)
 工程:露光後ベーク(Processing: Post-Exposure Bake)
 工程:現像(Processing: Development)
 工程:パタン転写(Processing: Pattern Transfer)

像形成(Image Formation)

 マクスウェルの方程式 光の数学(Maxwell's Equations: The Mathematics of Light)
 平面波とフェーザー(The Plane Wave and the Phasor)
 基礎的な像形成理論(Basic Imaging Theory)
 回折(Diffraction)
 フラウンホーファー回折:例(Fraunhofer Diffraction: Examples)
 開口数(The Numerical Aperture)
 フーリエ光学(Fourier Optics)
 空間コヒーレンスと斜入斜照明(Spatial Coherence and Oblique Illumination)
 部分コヒーレンス(Partial Coherence)
 収差(Aberrations)
 収差:ゼルニケ多項式(Aberrations: The Zernike Polynomial)
 収差:ゼルニケの例(Aberrations: Zernike Examples)
 色収差(Chromatic Aberration)
 水平-垂直バイアス(Horizontal-Vertical (H-V) Bias)
 焦点ボケ(Defocus)
 フレア(Flare)
 光のベクトル性(Vector Nature of Light)
 偏光(Polarization)
 光学不変量(The Optical Invariant)
 液浸露光:解像度(Immersion Lithography: Resolution)
 液浸露光:焦点深度(Immersion Lithography: Depth of Focus)

フォトレジストへの像形成(Imaging into a Photoresist)

 定在波:定義(Standing Waves: Definition)
 定在波:数学(Standing Waves: Mathematics)
 フレネル反射率(Fresnel Reflectivity)
 スウィングカーブ(Swing Curves)
 表面反射防止膜(Top Antireflective Coatings (TARC))
 基板反射防止膜(Bottom Antireflective Coatings (BARC))

フォトレジストの化学(Photoresist Chemistry)

 ノボラック/DNQ レジスト(Novolak / DNQ Resists)
 化学増幅レジスト(Chemically Amplified Resists)
 光の吸収(Absorption of Light)
 フォトレジストのブリーチングとDillパラメータ(Photoresist Bleaching and the Dill Parameters)
 露光動力学(Exposure Kinetics)
 Dill ABCパラメータの測定(Measuring the Dill ABC Parameters)
 化学増幅レジストの動力学(Chemically Amplified Resist Kinetics)
 化学増幅レジストの拡散(Diffusion in Chemically Amplified Resists)
 酸失活メカニズム(Acid Loss Mechanisms)
 塗布後ベーク効果(Post-Apply Bake Effects)
 フォトレジスト現像の動力学(Photoresist Development Kinetics)
 表面難溶層(Surface Inhibition)
 現像液の温度と濃度(Developer Temperature and Concentration)
 現像経路(The Development Path)

リソグラフィー制御と最適化(Lithography Control and Optimization)

 NILS: 規格化空間像対数傾斜(The Normalized Image Log-Slope)
 NILS: 対数傾斜デフォーカス曲線(The Log-Slope Defocus Curve)
 NILS:像の最適化(Image Optimization)
 NILS:露光の最適化(( Exposure Optimization)
 NILS:PEBの最適化( PEB Optimization)
 NILS:現像の最適化(Development Optimization)
 NILS:全工程の最適化( Total Process Optimization)
 定義:フォトレジストの線幅(Defining Photoresist Linewidth)
 クリティカルディメンジョン制御(Critical Dimension Control)
 CD制御:デバイスへの影響(Critical Dimension Control: Effect on Devices)
 オーバーレイ制御(Overlay Control)
 ラインエッジラフネス(Line Edge Roughness)
 評価法:クリティカルディメンジョン(Metrology: Critical Dimension)
 評価法:オーバーレイ(Metrology: Overlay)
 プロセスウィンドウ(The Process Window)
 焦点深度(Depth of Focus)
 解像度(Resolution)
 レイリー規準:解像度(Rayleigh Criteria: Resolution)
 レイリー規準:焦点深度(Rayleigh Criteria: Depth of Focus)
 マスク誤差増大係数(Mask Error Enhancement Factor (MEEF))
 解像度向上技術(Resolution Enhancement Technologies)
 位相シフトマスク(Phase-Shift Masks)
 位相シフトマスク:交互配置型(Phase-Shift Masks: Alternating)
 位相シフトマスク:減衰型(Phase-Shift Masks: Attenuated)
 光近接効果(Optical Proximity Effects)
 光近接効果補正(Optical Proximity Correction (OPC))
 斜入射照明(Off-Axis Illumination)
 リソグラフィーシミュレーション(Lithography Simulation)
 ムーアの法則(Moore's Law)
 次世代リソグラフィー(Next-Generation Lithography (NGL))

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