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出版社別 | エヌ・ティー・エス

量子ドットエレクトロニクスの最前線
商品コード: 978-4-86043-376-5

量子ドットエレクトロニクスの最前線

販売価格(税込) 52,360 円
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荒川 泰彦 他 著
B5判 440頁
2011/3/25
エヌ・ティー・エス 刊行

目次

総論 量子ドットが創るナノエレクトロニクス、ナノフォトニクス

第1編 基礎編
 第1章 作製技術
  第1節 高密度・高均一InAs量子ドットの自己形成
  第2節 超高密度半導体量子ドット形成技術の開発
  第3節 スピン量子ビットの実装に向けた半導体量子ドットの作製
  第4節 SiGe量子ドットのエピタキシャル成長
  第5節 As2分子線によるInGaAs量子ドット超格子の作製

 第2章 物性制御
  第1節 スピンに依存した新しい電流制御を可能にするg因子の異なる2種の量子ドットによる電子透過・捕獲現象
  第2節 トップゲートとサイドゲートによるシリコン結合量子ドットの静電結合制御
  第3節 微小共振器-量子ドットとの結合による励起子状態の制御
  第4節 自己組織化量子ドットにおける高効率スピン注入とその制御技術
  第5節 炭素原子1層のシートを用いた結合量子ドット素子作製における制御技術

 第3章 解析・構造評価
  第1節 GaAs2重量子ドットに閉じ込められた2電子スピン状態の電気的測定
  第2節 STMBEによるInAs量子ドット成長表面の原子レベルその場STM観察
  第3節 MMGeを用いて形成したGe・SiCナノドットの構造評価
  第4節 MOCVD法によるGa(In)NAs系材料を用いたInAs量子ドットの形成・発光特性評価
  第5節 微小角入射X線回折法(GIXD法)による円柱型InAs/GaAs量子ドット構造の評価

第2編 応用編
 第1章 太陽電池
  総説 量子ドットを用いた第三世代太陽電池開発の最新動向と課題
  第1節 光化学的手法を用いた硫化物半導体量子ドット担持TiO2の合成とその太陽電池への応用
  第2節 増感剤にII-族化合物半導体量子ドットを用いた太陽電池への応用
  第3節 界面制御による半導体量子ドット増感太陽電池の高効率化

 第2章 レーザ
  総説 量子ドットレーザ開発の最新動向と課題
  第1節 毎秒25ギガビットの高速データ通信を実現した量子ドットレーザの開発
  第2節 Ge量子ドットを用いた高効率室温発光素子の開発
  第3節 サブナノ層間分離技術によるOバンドInAs/InGaAs量子ドットレーザ
  第4節 ナノ共振器と単一半導体量子ドットを組み込んだ単一人工原子レーザ光源の開発
  第5節 MOVPE選択成長とダブルキャップ法を用いた広帯域量子ドットLED


 第3章 情報通信デバイス
  総説 量子ドット情報通信デバイス開発の最新動向と課題
  第1節 量子情報通信・処理の実現に向けた高効率固体量子位相ゲート
  第2節 量子暗号通信をターゲットとした通信波長帯単一光源の開発
  第3節 光子および電子スピンを利用した量子情報・通信デバイスの開発
  第4節 通信波長帯における歪補償量子ドットの励起子コヒーレンス

 第4章 単電子トランジスタ
  総説 単電子トランジスタ開発の最新動向と課題
  第1節 単一量子ドットトランジスタの量子伝導とその応用
  第2節 原子間力顕微鏡を用いた自己形成InAs量子ドット単電子トランジスタの作製
  第3節 Si量子ドットを用いた単電子トランジスタの研究

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