書籍 | 応用分野
商品コード：
9784621070833
タウア・ニン 最新VLSIの基礎
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Pt
Yuan Taur Tak H. Ning 著、芝原健太郎 翻訳
A5判 610頁
2002/9/30
丸善出版 刊行
目次
1 序章
2 デバイス物理の基礎
3 MOSFETデバイス
4 CMOSデバイス設計
5 CMOS性能因子
6 バイポーラデバイス
7 バイポーラデバイス設計
8 バイポーラ性能因子
A CMOSプロセスフロー
B 最近のnpnバイポーラトランジスタ製造プロセスの概要
C 実行状態密度
D アインシュタインの関係式
E なだれ降伏の開始条件
F サブスレッショルド状態での短チャネル効果の解析解
G 弱反転での量子力学解
H エミッタ抵抗とベース抵抗の決定
I 真性ベース抵抗
